| 品牌：原厂 | 型号：IRF6795MTRPBF | 封装：标准 |
| 批号：新 | FET类型：N沟道 |
明佳达电子供应MOS 场效应管 IRF6795MTRPBF 原装，期待您的来电咨询，网上所标仅作为参考，具体数量和价格请以当天咨询为准。
MOS 场效应管 IRF6795MTRPBF
产品规格
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：32A（Ta），160A（Tc）
驱动电压：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻：1.8 毫欧 @ 32A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)：2.35V @ 100?A
电压：±20V
FET 功能：-
漏源电压（Vdss）：25 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)：53 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)：4280 pF @ 13 V
功率耗散：2.8W（Ta），75W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：DIRECTFET? MX
封装/外壳：DirectFET? 等容 MX
