| 品牌：原厂 | 型号：STD1NK60T4 | 封装：标准 |
| 批号：新 | FET类型：N沟道 |
明佳达电子出售场效应管 STD1NK60T4 实单***，有需要欢迎找客服询价。
规格信息
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Tc）
驱动电压：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻：8.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)：3.7V @ 250?A
电压：±30V
FET 功能：-
漏源电压（Vdss）：600 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)：10 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)：156 pF @ 25 V
功率耗散：30W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：DPAK
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
